武漢新芯50納米代碼型閃存芯片全線量產(chǎn)

    6月4日，武漢新芯集成電路制造有限公司透露，其自主研發(fā)的50納米浮柵式代碼型閃存(SPINORFlash)芯片已全線量產(chǎn)。

 

    目前，在全球NORFlash存儲芯片領(lǐng)域，業(yè)界通用技術(shù)為65納米。武漢新芯新一代50納米技術(shù)，已逼近此類芯片的物理極限，無論是存儲單元面積還是存儲密度，均達到國際先進水平。

 

    據(jù)了解，武漢新芯50納米閃存技術(shù)于2019年12月取得突破，隨后投入量產(chǎn)準備。從65納米到50納米的躍升，武漢新芯用了18個月。

 

    Flash指非易失性存儲介質(zhì)。此次量產(chǎn)產(chǎn)品為寬電源電壓產(chǎn)品系列XM25QWxxC，容量覆蓋16兆到256兆。性能測試顯示，在1.65伏至3.6伏電壓范圍內(nèi)，該系列NORFlash存儲芯片的工作頻率可達133兆赫，即使在零下40℃或105℃這種極端溫度下，依然不會停止“芯跳”。其無障礙重復(fù)擦寫可達10萬次，數(shù)據(jù)保存時間長達20年。

 

    研發(fā)人員介紹，作為NORFlash存儲芯片中的“閃電俠”，該芯片在連續(xù)讀取模式下，能實現(xiàn)高效的存儲器訪問，僅需8個時鐘的指令周期，即可讀取24位地址。不僅如此，它還可使便攜式設(shè)備的電池壽命延長1.5倍以上，令用戶通過寬電壓功能實現(xiàn)更好的庫存管理。

 

    “對此次研發(fā)而言，最難的挑戰(zhàn)是速度、功耗和可靠性。”武漢新芯運營中心副總裁孫鵬說，隨著50納米NOR閃存的重大突破，武漢新芯將在性能和成本上進一步提高競爭力，針對快速發(fā)展的物聯(lián)網(wǎng)和5G市場，持續(xù)研發(fā)自有品牌的閃存產(chǎn)品，不斷拓展產(chǎn)品線。

 

    近期，武漢新芯與業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的物聯(lián)網(wǎng)核心芯片和解決方案平臺樂鑫科技達成長期戰(zhàn)略合作，雙方將圍繞物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用市場，在物聯(lián)網(wǎng)、存儲器芯片與應(yīng)用方案開發(fā)上展開合作。樂鑫科技CEO張瑞安表示，武漢新芯NORFlash存儲芯片，支持低功耗、寬電壓工作，能滿足該平臺全系物聯(lián)網(wǎng)芯片、智能家居及工業(yè)模組的應(yīng)用要求。

 

    武漢新芯成立于2006年，專注于NORFlash存儲芯片的研發(fā)制造，并以全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體三維集成制造技術(shù)，在圖像傳感器、射頻芯片、DRAM存儲器等產(chǎn)品上，不斷實現(xiàn)性能和架構(gòu)突破。(來源：湖北日報記者李墨、通訊員華健)