三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心主體封頂

 

　　11月22日，在綜改示范區(qū)中國電科(山西)三代半導(dǎo)體技能創(chuàng)新中心建造現(xiàn)場，兩棟鋼結(jié)構(gòu)修建拔地而起。通過整體施工者百日會戰(zhàn)，主體結(jié)構(gòu)順利封頂。

 

　　“從本年8月12日出場施工以來，修建面積1.7萬平方米的東區(qū)A05三代半導(dǎo)體技能創(chuàng)新中心實驗驗證中心和修建面積5000平方米的A10綜合倉庫，僅用3個多月時刻就完成了主體結(jié)構(gòu)建造，開端進(jìn)行墻面金屬圍護(hù)結(jié)構(gòu)的安裝及內(nèi)部防火涂料噴涂施工等。”建造單位十一科技現(xiàn)場施工負(fù)責(zé)人介紹，項目部在做好安全出產(chǎn)的前提下，針對冬季施工實際情況，為100多名奮戰(zhàn)在東西兩區(qū)建造現(xiàn)場的工人做好后勤保障，為室外作業(yè)人員配備御寒配備，確保項目順利推進(jìn)。

 

　　中國電科(山西)三代半導(dǎo)體技能創(chuàng)新中心位于綜改示范區(qū)瀟河新興產(chǎn)業(yè)園區(qū)，由中國電科二所負(fù)責(zé)實施。包含東區(qū)占地面積203畝的三代半導(dǎo)體技能創(chuàng)新中心實驗驗證線及配套項目、西區(qū)占地面積312畝的微電子智能制作產(chǎn)業(yè)基地項目，計劃總投資12.7億元，分兩期建造。一期項目建成后，具有年產(chǎn)600臺每套智能制作配備、2.4萬片每年陶瓷基板和電路模塊的才能，建成6英寸寬禁帶半導(dǎo)體制作配備工藝驗證渠道和共性技能研制渠道。

 

　　中國電科二所現(xiàn)場負(fù)責(zé)人介紹，中國電科(山西)三代半導(dǎo)體技能創(chuàng)新中心項目得到了綜改示范區(qū)的大力支持，黨工委、管委會首要負(fù)責(zé)同志多次深化現(xiàn)場和諧解決問題，瀟河新興園區(qū)成立中電科項目作業(yè)專班，開展專項入企服務(wù)，加速推進(jìn)了項目實施。項目部將嚴(yán)厲按照時刻節(jié)點，加速項目建造，推進(jìn)項目在下一年6月底建成。